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[发明专利]MicroLED像素化方法-CN202311006293.X在审
发明人：黄涛 -专利权人：晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效降低MicroLED出现边缘缺陷的概率。
microled 像素方法

[发明专利]量子点电致发光器件-CN201911042654.X有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种量子点电致发光器件，其包括：第一电极、发光层以及第二电极，发光层设于所述第一电极上，发光层包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和量子点材料，第一有机半导体材料与第二有机半导体材料形成激基复合物，其中，第一有机半导体材料为单分子热激活延迟荧光材料，第二有机半导体材料为电子受体材料或电子给体材料。上述量子点电致发光器件的发光层中选用单分子热激活延迟荧光材料作为第一有机半导体材料，选用电子受体材料或电子给体材料作为第二有机半导体材料，并与量子点材料构成发光层材料，进而形成双通道的激子能量转移，提高了量子点电致发光器件的电光转移效率和器件稳定性
量子电致发光器件

[实用新型]一种用于半导体发光材料用的收集装置-CN202221664226.8有效
发明人：王风谦;申展;张贵怀 -专利权人：河南荣峰光电科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其为一种用于半导体发光材料用的收集装置，包括底板，所述底板的上表面固定安装有支撑板，所述支撑板的一端活动连接有圆筒，所述圆筒的内部活动连接有盛料箱，所述盛料箱的顶部固定安装有第二电机该用于半导体发光材料用的收集装置，通过在圆筒内壁的表面设置半导体制冷片，当外界温度过高时，利用半导体制冷片对盛料箱内的半导体材料进行降温，使半导体发光材料处于一个适合的温度状态，当温度过低时，利用电加热丝管升高盛料箱内半导体发光材料的温度，方便长期收集储存半导体发光材料，在对半导体发光材料加热或散热的同时利用第一齿轮与第二齿轮啮合带动盛料箱转动能够使半导体发光材料受热或散热均匀。
一种用于半导体发光材料收集装置

[发明专利]一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件-CN202111481852.3有效
发明人：李良;郑为霖;何梦达;孔龙 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件，其中，一种半导体复合发光材料包括半导体荧光材料和氧化物，氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100。氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，所得到的复合物形成type Ⅱ能级结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100，通过调控氧化物的种类和含量，获得波长可调，光谱稳定的半导体复合发光材料。
一种半导体复合发光材料制备方法器件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202210554103.7在审
发明人：蔡知松;李周熙;张振赫;全翔镐;金诗圣;李东彦;金炯硕;李种琎 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及发光元件以及用于制造发光元件的方法。用于发光元件的制造方法包括：形成第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一半导体材料层，掺杂有第一导电类型掺杂剂并且设置在基础衬底上；发光材料层，设置在第一半导体材料层上；以及第二半导体材料层，设置在发光材料层上并且掺杂有第二导电类型掺杂剂；通过在与基础衬底的表面垂直的方向上蚀刻第一半导体结构，在基础衬底上形成彼此间隔开的多个第二半导体结构；以及激活第二半导体结构的第二半导体材料层中的第二导电类型掺杂剂以形成发光元件芯部。
发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200710197023.6有效
发明人：谢明勋;蔡嘉芬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法，此半导体发光元件具有一不透光基板、形成于此不透光基板上的一结合结构、形成于此结合结构上的一半导体发光叠层、以及形成于此半导体发光叠层上的一荧光材料结构，且此半导体发光叠层是分离自一原始成长基板本发明的半导体发光元件的制造方法包括有分离一半导体发光叠层自一原始成长基板、结合半导体发光叠层至一不透光基板上、及形成一荧光材料结构于半导体发光叠层上方。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200410077053.X有效
发明人：谢明勋;蔡嘉芬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法，此半导体发光元件具有一不透光基板、形成于此不透光基板上的一结合结构、形成于此结合结构上的一半导体发光叠层、以及形成于此半导体发光叠层上的一荧光材料结构，且此半导体发光叠层是分离自一原始成长基板本发明的半导体发光元件的制造方法包括有分离一半导体发光叠层自一原始成长基板、结合半导体发光叠层至一不透光基板上、及形成一荧光材料结构于半导体发光叠层上方。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置及半导体发光模块-CN202180063944.1在审
发明人：河野圭真;市川幸治;神原大蔵;堀尾直史 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置具有：发光元件组件，其具有半导体发光元件和导光部件，所述半导体发光元件具有支承基板和设置在支承基板上的发光半导体层；所述导光部件通过粘接层与半导体发光元件粘接，以及，第一覆膜，其由无机材料构成，该无机材料是包覆发光元件组件的侧面的光反射体。
半导体发光装置模块

[发明专利]氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法-CN201210375144.6无效
发明人：司朝;魏同波;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型的氮化物半导体材料，形成于活性发光层上；其中，活性发光层为由至少两种不同的氮化物半导体材料构成的多周期量子阱结构，该多周期量子阱结构中至少部分量子阱层的氮化物半导体材料为p型掺杂。本发明可以改善氮化物半导体材料发光二极管有源区中空穴的分布。
氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光结构-CN201310054962.0有效
发明人：康学军;李鹏;祝进田;张冀 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种发光结构，包括依次排布的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电材料层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层采用不同类型的半导体材料，所述发光结构还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述第二半导体层与所述导电材料层之间，以将所述第二半导体层与所述导电材料层电绝缘。根据本发明实施例，在第二半导体层和导电材料层之间增加一薄绝缘层，从而将第二半导体层和导电材料层电绝缘；避免了发光结构中的导电材料层和半导体层直接接触而产生的肖特基接触或者欧姆接触，从而降低了发光结构中的正向串联电阻，进而提高了发光结构整体的出光效率。
一种发光结构

[发明专利]一种发光二极管器件-CN201710965851.3在审
发明人：褚宏深;宋旭官;黄正信 -专利权人：丽智电子(昆山)有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管器件，包括发光二极管组件，发光二极管组件，包括多层发光半导体层组、透光衬底，透光衬底紧贴多层发光半导体层组的后侧设置；多层发光半导体层组，包括从前到后依次分布的P型半导体材料层、光活化层位层、N型半导体材料层；多层发光半导体层组与透光衬底的接触面为多层发光半导体层组平面，透光衬底与多层发光半导体层组的接触面为透光衬底平面；N型半导体材料层的前侧面连接有第一电极，P型半导体材料层的前侧面连接有第二电极，第一、第二电极的下部与透光衬底平面相结合，实现多层发光半导体层组与第一平面的电连接。
一种发光二极管器件

[发明专利]具有高发光效率的半导体发光器件-CN97108578.1无效
发明人：中津弘志 -专利权人：夏普公司
申请日： 1997-12-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件，其中以与半导体衬底1晶格失配的状态在半导体衬底1上形成发光层4，由此获得高效率发光。采用起发光复合中心作用的杂质对用做发光层基本材料的半导体材料掺杂。半导体衬底是GaP衬底1，用做发光层4基本材料的半导体材料是(AlxGa1-x)1-yInyP。采用作为形成施主能级的第一杂质的氮、氧、硒、硫或碲，和作为形成受主能级的第二杂质的镁、锌或镉，对此(AlxGa1-x)1-yInyP材料掺杂。
具有发光效率半导体器件

[发明专利]制备纳米尺寸发光半导体材料的方法-CN201780076609.9在审
发明人： N·格兰巴赫;I·达维迪;S·内什塔特 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备纳米尺寸发光半导体材料的方法，纳米尺寸发光半导体材料，包含纳米尺寸发光半导体材料的光学介质，以及包含光学介质的光学器件。
发光半导体材料光学介质制备光学器件

[发明专利]发光材料及其制备方法和QLED器件-CN201711449101.7有效
发明人：李泽伟;曹蔚然 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光材料及其制备方法和QLED器件。所述发光材料为半导体量子点，所述半导体量子点表面结合有碳量子点。本发明中的发光材料选用碳量子点与半导体量子点复合得到的碳量子点‑半导体量子点复合物作为量子点发光层材料，当碳量子点连接在半导体量子点上时，两种量子点材料复合发光，可更好地提高量子点发光层的发光效率。
发光材料及其制备方法 qled 器件

[发明专利]发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法-CN200810025948.7有效
发明人：樊邦弘;翁新川 -专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
申请日： 2008-01-19 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；保护层，覆盖p型半导体材料层；穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极；以及围绕n型半导体材料层形成并与之电接触的阴极。本发明还提供了具有该发光二极管的封装结构及该发光二极管的制造方法。根据本发明的发光二极管的发光效率增加了50％以上。
发光二极管具有封装结构及其制造方法

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